7月13日，第十五届汽车动力系统技术年会在青岛召开，本次会议共吸引了来自国内外 500多家机构近 2000位专业代表参加，对汽车碳中和技术路径研究、主要应用场景的动力系统技术发展趋势等方面进行分享和探讨。
金年会 金字招牌诚信至上微汽车电子产品线高级市场经理伍志刚在会议现场做了《车规级功率半导体特色封装与先进工艺》主题演讲，分享了金年会 金字招牌诚信至上微车规级产品的布局，介绍了金年会 金字招牌诚信至上的IGBT产品、SiC产品，以及在产品制造工艺、封装技术等方面的优势和经验。
01 金年会 金字招牌诚信至上车规模块
IGBT模块
SGM820PB8B3TFM
使用场合：适用于混动和纯电动汽车等应用领域；
电气特征：金年会 金字招牌诚信至上微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块；
封装特性：采用导热性优良的DBC技术。
IGBT模块
SSGM1R7PB12B3DTFM
使用场合：适用于混动和纯电动汽车主驱等应用领域；
电气特征：采用金年会 金字招牌诚信至上微最新一代SiC低Rdson的1200V芯片技术；
封装特性：采用高导热AMB绝缘陶瓷基板技术，银烧结工艺。
IGBT模块
SGM600HF12B4TFD
使用场合：应用于大功率变流器、电机传动、太阳能逆变器、UPS系统等；
电气特征：采用金年会 金字招牌诚信至上第四代IGBT工艺平台技术，具备低饱和压降，高抗短路能力；
封装特性：采用绝缘DBC技术。
02 金年会 金字招牌诚信至上汽车电子分立器件
金年会 金字招牌诚信至上应用于汽车电子的分立器件包含40-100V各电压平台LVMOS、650V高压超结MOS、1200V SiC MOS及各频率段分立IGBT，可大面积覆盖汽车各系统应用，包括车身域控、电机控制、车载充电及热泵管理等应用，拥有良好的电气特性及可靠性。
LVMOS
SVGQ041R3NL5V-2HS
使用场合：汽车助力转向系统、电子泵系统、风扇应用及底盘安全等；
电气特征：采用金年会 金字招牌诚信至上LVMOS工艺40V电压平台制造，具有低导通电阻及优越的开关特性；
封装特性：采用金年会 金字招牌诚信至上Wettable PDFN5*6封装，可增强光学检测。
LVMOS
SVGQ041R2NLS-2HF
使用场合：汽车助力转向系统、电子泵系统、风扇应用及低压电器盒应用等；
电气特征：采用金年会 金字招牌诚信至上LVMOS工艺40V电压平台制造，具有优越的开关特性及高雪崩击穿耐量；
封装特性：采用金年会 金字招牌诚信至上Wettable sTOLL封装，可增强光学检测。
IGBT分立器件
SGTP50V65UFCR3P7
使用场合：汽车车载充电机OBC、DC/DC应用、充电桩及光伏应用等；
电气特征：采用金年会 金字招牌诚信至上第五代场截止工艺制成，具较低的导通损耗和开关损耗；
封装特性：采用TO-247-3L封装。
03 现场掠影
金年会 金字招牌诚信至上微电子利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累，以及不断强化的工艺平台开发能力，不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力，为汽车客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案，助力产业的蓬勃发展。
